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日本パルス工業株式会社

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パルストランス

MOSFET&IGBT ドライブ用高速トランスSP シリーズ

高耐圧信号絶縁用

特長

  • 超小型高耐圧品
  • 絶縁耐圧AC2.0kV 1分間
  • 面実装対応
  • 低リーケージインダクタンス
  • 低入出力間容量
  • RoHS指令対応

用途

  • 高耐圧信号絶縁(フィードバック用途等)
  • DC-DCコンバータ回路
  • 信号伝送回路
  • その他高耐圧・小型を要求される用途
SP シリーズ

電気的共通仕様

絶縁耐圧 AC2000V(1分間)
動作温度範囲 -10℃~+80℃
保存温度範囲 -20℃~+105℃

[ 電気的特性(Ta=25℃)]

型名 表示記号 巻線比N1:N2±5% 1次インダクタンス(mH) min at1kHz リーケージインダクタンスN1(μH) max 静電容量1次-2次(pF) max 直流抵抗(Ω) max 立ち上がり時間RL=50Ω(ns) max ET積(V・μsec)min 2次許容電流(mA) maxDuty=0.5 小信号帯域
1次 2次
SP9-1650 A 1:1 0.052 0.6 7.0 0.05 0.06 10 20 400 30kHz~30MHz
SP9-1222 B 1:1 1.850 16 8.0 2.0 2.5 400 125 60 1kHz~700kHz
SP9-2650 C 1:2 0.052 0.6 7.0 0.05 0.35 12

20

170 20kHz~20MHz
SP9-2222 D 1:2 1.850 18 9.0 2.0 9.0 400 125 30 1kHz~700kHz
SP11-1900 E 1:1 0.075 0.7 7.0 0.06 0.07 12

30

350 30kHz~25MHz
SP11-1432 F 1:1 3.650 35 8.5 2.6 3.2 800 200 55 1kHz~400kHz
SP11-2900 G 1:2 0.075 0.7 7.0 0.06 0.4 16

30

160 30kHz~15MHz
SP11-2432 H 1:2 3.650 36 9.0 2.6 12.2 850 200 25 1kHz~400kHz

SP9外形図

SP9外形図

SP11外形図

SP11外形図

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