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日本パルス工業株式会社

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Home > 製品:パルストランス > ADF/ATF シリーズ

パルストランス

MOSFET&IGBT ドライブ用高速トランスADF/ATF シリーズ

パワーMOSFET & IGBT 駆動用

特長

  • 超小型高耐圧品
    ADF(コアサイズ8mm) :絶縁耐圧AC3.0kV 1分間
    ATF(コアサイズ13mm):絶縁耐圧AC3.5kV 1分間
  • 低リーケージインダクタンス
  • 低入出力間容量
  • RoHS指令対応

用途

  • パワーMOSFET&IGBT駆動回路
  • 高耐圧信号絶縁(フィードバック用途等)
  • DC-DCコンバータ回路
  • 信号伝送回路
  • その他高耐圧・小型を要求される用途
ADF/ATF シリーズ

電気的共通仕様

絶縁耐圧 ADF:絶縁耐圧AC3000V (1分間)
ATF:絶縁耐圧AC3500V (1分間)
動作温度範囲 -10℃~+70℃
保存温度範囲 -20℃~+105℃

[ 電気的特性(Ta=25℃)]

型名 巻線比N1:N2±5% 1次インダクタンス(mH) min at1kHz リーケージインダクタンスN1(μH) max 静電容量1次-2次(pF) max 直流抵抗(Ω) max 立ち上がり時間RL=50Ω(ns) max ET積(V・μsec)min 2次許容電流(mA) maxDuty=0.5 小信号帯域
1次 2次
ADF-1 1:1 0.3 5 10 0.5 0.6 80 50 75 80kHz~500kHz
ADF-2 1:1 0.5 3 70 1.5 1.5 50 70 45 70kHz~700kHz
ATF-1 1:1 0.9 10 18 0.3 0.4 120

180

330 55kHz~700kHz

ADF外形図

ADF外形図

ATF外形図

ATF外形図

製品カタログには製品の詳細仕様や技術資料などが記載されております。
ご採用検討の折にはメールフォームにてカタログをご請求ください。

 

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