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日本パルス工業株式会社

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パルストランス

MOSFET&IGBT ドライブ用高速トランスTF シリーズ

パワーMOSFET & IGBT 駆動用

特長

  • 超小型高耐圧品(コアサイズ12.5mm)
  • 低リーケージインダクタンス
  • 低入出力間容量
  • RoHS指令対応

用途

  • パワーMOSFET&IGBT駆動回路
  • 高耐圧信号絶縁(フィードバック用途等)
  • DC-DCコンバータ回路
  • 信号伝送回路
  • その他高耐圧・小型を要求される用途
TF シリーズ

電気的共通仕様

絶縁耐圧 AC2000V(1分間)
動作温度範囲 -10℃~+70℃
保存温度範囲 -20℃~+105℃

[ 電気的特性(Ta=25℃)]

型名 巻線比N1:N2:
N3:N4±5%
1次インダクタンス(mH) min at1kHz リーケージインダクタンスN1(μH) max 静電容量1次-2次(pF) max 直流抵抗(Ω) max 立ち上がり時間RL=50Ω(ns) max ET積(V・μsec)min 2次許容電流(mA) maxDuty=0.5 小信号帯域
1次 2次
TF-A1 1:1 0.9 10 18 0.25 0.3 120 145 330 55kHz~700kHz
TF-A2 1:1 4.0 40 18 0.9 1.2 800 310 150 25kHz~300kHz
TF-A3 1:1 9.0 90 18 1.8 2.5 1600

450

120 15kHz~150kHz
TF-B1 1:1CT付 0.2 15 16 0.25 0.3 130 75 330 110kHz~700kHz
TF-B2 1:1CT付 1.0 40 17 0.9 1.2 750 155 150 50kHz~300kHz
TF-B3 1:1CT付 2.2 90 18 1.8 2.0 1500 230 120 35kHz~150kHz
TF-C1 1:1:1:1 0.9 20 20 0.55 0.75 420 145 125 55kHz~400kHz
TF-C2 1:1:1:1 4.0 40 22 1.9 3.0 1700 310 65 25kHz~150kHz
TF-C3 1:1:1:1 9.0 90 24 4.5 6.3 3400 450 50 15kHz~95kHz

TF-A外形図

TF-A外形図

TF-B外形図

TF-B外形図

TF-C外形図

TF-C外形図

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