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日本パルス工業株式会社

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パルストランス

MOSFET&IGBT ドライブ用高速トランスFDT シリーズ

パワーMOSFET & IGBT 駆動用

特長

  • 超小型高耐圧品(コアサイズ8mm)
  • 低リーケージインダクタンス
  • 低入出力間容量
  • RoHS指令対応

用途

  • パワーMOSFET&IGBT駆動回路
  • 高耐圧信号絶縁(フィードバック用途等)
  • DC-DCコンバータ回路
  • 信号伝送回路
  • その他高耐圧・小型を要求される用途
FDT シリーズ

電気的共通仕様

絶縁耐圧 AC2000V(1分間)
動作温度範囲 -10℃~+70℃
保存温度範囲 -20℃~+105℃

[ 電気的特性(Ta=25℃)]

型名 巻線比N1:N2:
N3±5%
1次インダクタンス(mH) min at1kHz リーケージインダクタンスN1(μH) max 静電容量1次-2次(pF) max 直流抵抗(Ω) max 立ち上がり時間RL=50Ω(ns) max ET積(V・μsec)min 2次許容電流(mA) maxDuty=0.5 小信号帯域
1次 2次
FDT-1 1:1 1.0 15 16 0.55 0.7 85 100 125 60kHz~400kHz
FDT-2 1:1 4.7 50 18 2.0 2.5 650 210 75 30kHz~200kHz
FDT-3 1:1 10 95 18 4.0 5.0 1200

300

55 25kHz~100kHz
FDT-7 1:1:1 0.047 30 16 0.25 0.3 35 50 175 90kHz~2MHz
FDT-8 1:1:1 0.2 90 18 0.85 1.0 165 105 100 40kHz~800kHz
FDT-9 1:1:1 0.4 180 19 1.85 2.1 500 150 55 30kHz~500kHz

FDT1-2-3外形図

FDT1-2-3外形図

FDT7-8-9外形図

FDT7-8-9外形図

製品カタログには製品の詳細仕様や技術資料などが記載されております。
ご採用検討の折にはメールフォームにてカタログをご請求ください。

 

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