確かな絶縁技術でパワエレの未来を支える
Homeサイトマップ

日本パルス工業株式会社

お問い合わせはお気軽に:03-0549-2111 お問い合わせフォーム

Home > 製品:ゲートドライバー > SDM3010RE

ゲートドライバー

SiC-FETパワーモジュール用ゲートドライバーSDM3010RE

SiC-FETパワーモジュールの性能を最大限に引き出す、ビルトインタイプ&高速応答

BSM300D12P2E001(ROHM)用 100kHz
SiC-MOSFETゲートドライバー《2回路内蔵》

ローム製ドライバーICを使用したゲートドライバーで、ローム(株)様より評価用として供給されております。リファレンスボード『BM60052FV-EVK-001』と同仕様品です。

耐電圧 AC2500V 重量 40g

特長

  • FET一体取付形状・ゲート抵抗搭載基板
  • 負荷短絡検出及びソフトターンオフ機能
  • ミラークランプ機能
  • ローム社製ドライバーIC(BM60052FV-C)搭載
SDM3010RE

[ 電気的特性(Ta=25℃) RoHS指令対応品 ]

特性項目 規格・定格
電源電圧 DC15V、DC24V typ(DC12V~DC28V)
入力信号周波数範囲 DC~100kHz
入力信号 5V typ
出力順バイアス電圧 +17V~+19V
出力逆バイアス電圧 -3V~-5V
立上がり応答遅れ時間(+Tstg) 100ns typ
立下がり応答遅れ時間(-Tstg) 100ns typ
絶縁耐圧 AC2500V 1分間(入力−出力間)
使用温度範囲 −40~+70℃

寸法図(mm)

SDM3010RE寸法図

ブロック図

SDM3010REブロック図

製品に関する詳細内容や、リリース時期等に関しましては、
メールフォームにてお問い合わせください。

 

このページのトップへ戻る