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日本パルス工業株式会社

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ゲートドライバー

SiC-FETパワーモジュール用高周波ゲートドライバーGDUSC30

大容量フルSiC-FETパワーモジュールを最大300kHzまでドライブ可能!

1200V・300Aクラス200kHz
1200V・180Aクラス300kHz
SiC-MOSFETゲートドライバー《2回路》

フォトカプラ絶縁方式による高速ゲートドライブ回路とDC/DCコンバータを1ユニット化した製品で、次世代の低損失素子として期待されているSiC-MOSFETをゲートドライブに適したバイアス電圧で高周波駆動が可能です。

耐電圧 AC3500V 重量 110g

特長

  • 様々な素子・使用条件に対応できる汎用設計
  • 高周波駆動に適した高速応答遅れ時間
  • +18V,-4Vに安定化されたバイアス電圧
  • シンプルで扱いやすい
GDUSC30

[ 電気的特性(Ta=25℃) RoHS指令対応品 ]

特性項目 規格・定格
電源電圧 DC24V±2V
入力信号周波数範囲 DC~300kHz
入力信号 5V typ
出力順バイアス電圧 +17V~+19V
出力逆バイアス電圧 -3V~-5V
立上がり応答遅れ時間(+Tstg) 200ns typ
立下がり応答遅れ時間(-Tstg) 200ns typ
絶縁耐圧 AC3500V 1分間(入力−出力間・出力相互間)
使用温度範囲 −10~+70℃

寸法図(mm)

GDUSC30寸法図

ブロック図

GDUSC30ブロック図

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